北京卫蓝新能源科技有限公司李丹荣获国家专利权
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龙图腾网获悉北京卫蓝新能源科技有限公司申请的专利一种材料表面包覆层检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116678934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210166762.3，技术领域涉及：G01N27/64；该发明授权一种材料表面包覆层检测方法是由李丹荣;李文俊;俞会根设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种材料表面包覆层检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种材料表面包覆层检测方法，包括将需检测的具有表面包覆层的基底材料压延成压延膜，并对压延膜镀膜后采用Ar离子束进行刻蚀并进行二次离子质谱测试，通过收集二次离子质谱测试的包覆层物质的二次离子个数和被包覆基底物质的二次离子个数以计算包覆层的包覆率和包覆层厚度。本发明提供的一种材料表面包覆层检测方法，可以用于测定较薄的包覆层厚度1‑3nm以及厚度大于10nm的厚包覆层，同时解决了样品在制备和测试转移过程中表面污染元素会干扰测定结果的问题。
本发明授权一种材料表面包覆层检测方法在权利要求书中公布了：1.一种材料表面包覆层检测方法，其特征在于，依次按下述步骤进行： 1将需检测的具有表面包覆层的基底材料压延成膜，得到压延膜样品； 2对步骤1制得的压延膜镀膜，得到镀膜压延膜样品； 3采用离子束对步骤2制得的镀膜压延膜进行刻蚀，刻蚀深度为：镀膜厚度减去二次离子质谱的最大检测深度，再加1nm；并对刻蚀后的镀膜压延膜进行二次离子质谱测试，收集包覆层物质的二次离子个数A1和被包覆基底物质的二次离子个数B1； 4采用离子束对步骤3中已刻蚀的镀膜压延膜的刻蚀区域进行梯度刻蚀，并在每次刻蚀后对镀膜压延膜进行二次离子质谱测试，收集各次二次离子质谱测试的包覆层物质的二次离子个数和被包覆基底物质的二次离子个数，其中第m次的包覆层物质的二次离子个数为Am，被包覆基底物质的二次离子个数为Bm； 5继续刻蚀并在每次刻蚀后对镀膜压延膜进行二次离子质谱测试，至连续n次的Am或Bm变化率的绝对值≤1％后，停止刻蚀； 6根据A1、B1、总刻蚀次数k及Am或Bm变化率的绝对值≤1％的持续次数n计算包覆层的包覆率和包覆层厚度。
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