南昌大学陈金涛获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学申请的专利一种基于石墨烯超表面的光学非互易器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116594240B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310437303.9，技术领域涉及：G02F1/355；该发明授权一种基于石墨烯超表面的光学非互易器件是由陈金涛;郭天敬;雷江涛;蔡孟强;唐荣欣设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于石墨烯超表面的光学非互易器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于石墨烯超表面的光学非互易器件，由若干组单元结构周期拼接形成，该单元结构包括单层石墨烯和两侧带有不对称凹槽的硅超表面。由于结构的非对称性，结构本身就可在反射模式实现76.05％的非互易响应，考虑材料的非线性效应可以使非互易幅度达到83.67％。可通过改变石墨烯费米能级和结构参数调控结构的工作波长，实现器件动态可调特性。本发明所述器件结构简单，实验上易实现，完全无源，操作功率低。本发明设计的基于石墨烯超表面的器件能够应用在光学隔离、激励、调制、传感和探测等各个领域，对新型光电技术发展起到重要的作用。
本发明授权一种基于石墨烯超表面的光学非互易器件在权利要求书中公布了：1.一种基于石墨烯和硅超表面的光学非互易器件，其特征在于：所述光学非互易器件具备非互易反射响应；所述光学非互易器件由若干组单元结构周期拼接形成，所述单元结构包括单层石墨烯和硅超表面，所述硅超表面上下两侧带有相同宽度、不同深度的周期性排布的凹槽，凹槽位置两侧对称；所述单层石墨烯覆盖在所述硅超表面； 所述硅超表面采用多晶硅，所述多晶硅的折射率为3.4，高度为100nm，多晶硅的三阶非线性磁化率为2.8×10‑18m2V2； 所述石墨烯只覆盖在硅超表面的一侧，且覆盖在具有浅凹槽的一侧。
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