上海积塔半导体有限公司王春雨获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体测试结构及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116469792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310618080.6，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权一种半导体测试结构及其测试方法是由王春雨;叶亮;常建光设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体测试结构及其测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体测试结构及其测试方法。本发明通过在有源区上形成多晶硅连接结构、并与多晶硅连接结构的四周均形成侧墙，再通过相应的金属互连结构以及测试衬垫，能够同时检测侧墙上的金属硅化物的残留、多晶硅连续性问题以及金属硅化物的形成质量问题。由于多晶硅连接结构全部位于有源区之上，因此能够同时检测多晶硅连接结构四周的侧墙上的金属硅化物残留；同时，由于多晶硅连接结构覆盖面积更大，因此对于工艺制程更加敏感，能够更好的捕捉工艺中发生的问题。
本发明授权一种半导体测试结构及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 衬底；有源区，形成于所述衬底上；多晶硅连接结构，形成于所述有源区上，所述多晶硅连接结构包括沿第一方向延伸、沿第二方向间隔分布的多个多晶硅结构，在所述第二方向上、相邻两个所述多晶硅结构通过多晶硅互连，其中，所述第一方向与所述第二方向均平行于所述有源区的背离所述衬底的表面、且所述第一方向垂直于所述第二方向或所述第一方向与所述第二方向之间具有夹角；侧墙，形成于所述有源区上且包覆所述多晶硅连接结构的所有侧壁；金属硅化物层，所述金属硅化物层包括覆盖所述有源区的第一金属硅化物，以及覆盖所述多晶硅连接结构的第二金属硅化物； 金属互连结构组，所述金属互连结构组包括与所述第一金属硅化物相连的第一金属互连结构，以及与所述第二金属硅化物相连的第二金属互连结构；以及测试衬垫组，所述测试衬垫组包括与所述第一金属互连结构连接的第一衬垫，以及与所述第二金属互连结构连接的第二衬垫。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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