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龙图腾网获悉南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种测量量子阱材料吸收系数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116465844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310438492.1，技术领域涉及：G01N21/31；该发明授权一种测量量子阱材料吸收系数的方法是由全知觉;朱珊珊;曹盛;高江东;王立设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测量量子阱材料吸收系数的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种测量量子阱材料吸收系数的方法，该方法包括：1在衬底上生长含量子阱结构的外延层；2获得量子阱层的总厚度；3将外延片制备成样品，并获得样品中外延层的上、下界面的反射率；4测试得到量子阱结构内产生的光生载流子被100%收集时的外量子效率曲线，根据外量子效率曲线，分析剥离出仅为量子阱结构光响应的内量子效率曲线；5求解吸收系数与内量子效率、反射率、量子阱层的总厚度的关系式得到吸收系数。本方法为获得量子阱材料的吸收系数提供了途径，具有简单实用、对衬底材料无要求、准确度高等优点，避免了传统椭偏法不适用于测量量子阱结构和透射法要求衬底透明的缺点，对于器件设计具有重要意义。

本发明授权一种测量量子阱材料吸收系数的方法在权利要求书中公布了：1.一种测量量子阱材料吸收系数的方法，其特征在于：包含以下步骤： S1：制备外延片：在衬底上生长含量子阱结构的外延层，外延层包括第一导电层，量子阱结构，第二导电层，量子阱结构由量子阱层与量子垒层交替而成； S2：获得量子阱层的总厚度； S3：对外延片进行芯片工艺，蒸镀p电极及n电极，得到样品，并获得样品中外延层的上界面的反射率与下界面的反射率； S4：施加合适的偏压，测试得到量子阱内产生的光生载流子被100%收集时的外量子效率，然后根据外量子效率绘制外量子效率曲线；根据所述外量子效率曲线，分析剥离出仅为量子阱结构光响应的内量子效率曲线； S5：根据吸收系数与内量子效率、反射率、量子阱层厚度的关系式，求解得到吸收系数； 其中：吸收系数与内量子效率、反射率、量子阱层厚度的关系式为： 其中，ƞ是内量子效率，为样品中外延层上界面的反射率，为样品中外延层下界面的反射率，d为量子阱层的总厚度，为量子阱材料的吸收系数。

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