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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种基于MEMS的自封闭电容薄膜真空计及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116448312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310394993.4，技术领域涉及：G01L21/00；该发明授权一种基于MEMS的自封闭电容薄膜真空计及制作方法是由陶继方;刘汉哲设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MEMS的自封闭电容薄膜真空计及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于MEMS的自封闭电容薄膜真空计及制作方法，真空计包括由上到下依次设置的锁真空薄膜、第一绝缘层、第一底硅层、感压薄膜、第二绝缘层和第二底硅层，第一底硅层和感压薄膜通过边缘的支撑层和粘接层键合在一起；第一底硅层和感压薄膜之间形成测试腔，第一底硅层和感压薄膜相对一面分别设置有金属电极；锁真空薄膜、第一绝缘层、第一底硅层的右侧开设进气孔；第一底硅层和感压薄膜的左侧开设相连通的通孔，从而形成连参考腔；第一底硅层中心偏左或偏右的位置开设连通参考腔和测试腔的自锁孔。本发明所公开的真空计可实现参考腔的自封闭，提高了电容薄膜真空计的测量范围、高真空度下的测量精度、工作稳定性以及可靠性。

本发明授权一种基于MEMS的自封闭电容薄膜真空计及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于MEMS的自封闭电容薄膜真空计，其特征在于，包括由上到下依次设置的锁真空薄膜、第一绝缘层、第一底硅层、感压薄膜、第二绝缘层和第二底硅层，所述第一底硅层和感压薄膜相对一面的边缘区域分别设置有第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层和第二支撑层之间通过第一粘接层和第二粘接层粘合在一起； 所述第一底硅层和感压薄膜之间形成测试腔，所述第一底硅层和感压薄膜相对一面的中心区域分别设置有第一金属电极和第二金属电极； 所述锁真空薄膜、第一绝缘层、第一底硅层的上侧和下侧分别开设用于引出第一金属电极和第二金属电极的电极引出孔，所述锁真空薄膜、第一绝缘层、第一底硅层的右侧开设与测试腔连通的进气孔； 所述第一底硅层和感压薄膜的左侧开设相连通的通孔，所述通孔穿过第一支撑层、第二支撑层、第一粘接层和第二粘接层；位于测试腔上下两侧的第一绝缘层和第二绝缘层被处刻蚀掉，从而在锁真空薄膜、第一底硅层、感压薄膜和第二底硅层之间形成连通的参考腔； 所述第一底硅层中心偏左或偏右的位置开设连通参考腔和测试腔的自锁孔。

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