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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116341482B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310201152.7，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法是由董刚;李屾;智常乐;吴海东;朱樟明;杨银堂设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法，包括：构建2.5D集成电路的等效电路模型；计算等效电路模型的电源分配网络中任意两点之间的电阻；根据等效电路模型，计算硅插入层中电源分配网络的电压降；根据等效电路模型计算芯粒中电源分配网络的电压降；判断芯粒中电源分配网络的电压降是否满足芯粒噪声容限，若否，则修改硅插入层中硅通孔的分布情况和芯粒在硅插入层上的位置，并返回步骤对芯粒中电源分配网络的电压降进行优化，若是，则根据芯粒中电源分配网络的电压降选取硅插入层中硅通孔的分布情况和芯粒在硅插入层上的最优位置。该方法能对结构复杂的2.5D集成电路中PDN节点IR‑drop进行快速计算，并依此来确定Chiplet在Interposer上的放置位置。

本发明授权一种2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法在权利要求书中公布了：1.一种2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法，其特征在于，包括步骤： S1、构建2.5D集成电路的等效电路模型；所述等效电路模型包括硅插入层和若干芯粒，其中，所述若干芯粒分布在所述硅插入层上，且每个所述芯粒通过微焊球阵列与所述硅插入层连接；所述硅插入层包括硅基底、硅插入层中硅通孔阵列、硅插入层中电源分配网络和再分布层，所述硅基底为所述硅插入层的一部分且位于硅插入层的底层，所述硅插入层中硅通孔阵列分布在所述硅基底中，所述硅插入层中电源分配网络设置在所述硅基底的上侧，所述再分布层设置在所述硅基底的上侧；所述芯粒包括芯粒中电源分配网络和芯粒中硅通孔阵列，所述芯粒中电源分配网络通过微焊球阵列连接所述芯粒中硅通孔阵列，且所述硅插入层中电源分配网络通过所述再分布层、微焊球阵列连接所述芯粒中硅通孔阵列； 所述等效电路模型的电源分配网络包括硅插入层中电源分配网络、芯粒中电源分配网络、硅插入层中硅通孔阵列和微焊球阵列； S2、计算所述等效电路模型的电源分配网络中任意两点之间的电阻； S3、根据所述等效电路模型，利用所述任意两点之间的电阻、所述硅插入层中硅通孔的电阻计算所述硅插入层中电源分配网络的电压降； S4、根据所述等效电路模型，结合所述硅插入层中电源分配网络的电压降、所述任意两点之间的电阻、所述硅插入层中电源分配网络上的再分布层的电阻、所述芯粒中硅通孔的电阻、所述微焊球的电阻计算所述芯粒中电源分配网络的电压降； S5、判断所述芯粒中电源分配网络节点的电压降是否满足芯粒噪声容限，若否，则修改硅插入层中硅通孔的分布情况和芯粒在硅插入层上的位置，并重复步骤S2‑S4对所述芯粒中电源分配网络的电压降进行优化，若是，则根据所述芯粒中电源分配网络的电压降选取所述硅插入层中硅通孔的分布情况和所述芯粒在硅插入层上的最优位置。

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