常州承芯半导体有限公司邵晓斐获国家专利权
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龙图腾网获悉常州承芯半导体有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116316061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310075973.0，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权半导体器件及其形成方法是由邵晓斐;高谷信一郎设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：衬底，以及位于所述衬底上方的第一反射层、第一接触层、有源层、第二接触层以及第二反射层；绝缘部，位于至少部分所述第一接触层和至少部分所述有源层之间，或者位于至少部分所述第二接触层和至少部分所述有源层之间，所述绝缘部与所述有源层接触；第一金属电极，位于所述第一接触层的顶部表面，且位于所述有源层的外侧；第二金属电极，位于所述第二接触层的顶部表面，且位于所述第二反射层外侧，所述绝缘部位于所述第二金属电极下方。上述方案可以实现半导体器件工作过程中，金属电极之间的电流路径变短，从而减少器件发热量。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，以及位于所述衬底上方的第一反射层、第一接触层、有源层、第二接触层以及第二反射层； 绝缘部，位于至少部分所述第一接触层和至少部分所述有源层之间，或者位于至少部分所述第二接触层和至少部分所述有源层之间，所述绝缘部与所述有源层接触； 第一金属电极，位于所述第一接触层的顶部表面，且位于所述有源层的外侧； 第二金属电极，位于所述第二接触层的顶部表面，且位于所述第二反射层外侧，所述绝缘部位于所述第二金属电极下方； 所述第一接触层、所述第一反射层、所述第二接触层和所述第二反射层具有掺杂，所述第一接触层的掺杂浓度大于所述第一反射层的掺杂浓度，所述第二接触层的掺杂浓度大于所述第二反射层的掺杂浓度。
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