南京航空航天大学台国安获国家专利权
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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种二维材料场效应晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310095254.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种二维材料场效应晶体管的制造方法是由台国安;侯闯设计研发完成，并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维材料场效应晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维材料场效应晶体管的制造方法，属于半导体晶体管领域，所述方法包括如下步骤：在衬底上直接生长二维材料层；在二维材料层表面蒸镀易自氧化的金属层；旋涂光刻胶，曝光显影，刻蚀使形成多阵列矩形的基二维材料与金属结构，并去除光刻胶；旋涂光刻胶，通过曝光显影在矩形边缘定义源极和漏极，通过沉积获得源极和漏极，去除光刻胶；旋涂沟道光刻胶，曝光并显影，得到沟道图形，使金属层自氧化得到栅介质，沉积栅金属并刻蚀掉多余的二维材料层；本发明提供了一种直接在本征硅衬底上直接生长二维材料层，且沟道处的二维材料得到了很好的保护，得到洁净的二维材料场效应晶体管。
本发明授权一种二维材料场效应晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种二维材料场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在本征硅衬底上直接生长二维材料层； 2在二维材料层表面沉积一层容易自氧化的金属层； 3旋涂光刻胶，曝光显影，腐蚀外露金属层，形成多阵列矩形金属层图案，并去除光刻胶； 4旋涂电极光刻胶，通过曝光在矩形边缘定义源极和漏极的具体位置，通过沉积获得源极和漏极，去除光刻胶； 5旋涂沟道光刻胶，曝光并显影，得到沟道图形，使金属层自氧化得到栅介质，沉积栅金属形成栅极； 6刻蚀掉多余的二维材料层，形成二维材料场效应晶体管阵列。
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