上海华力微电子有限公司胡向华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利晶圆背面残留的监控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313921B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310341055.8，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权晶圆背面残留的监控方法是由胡向华;张景春设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆背面残留的监控方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆背面残留的监控方法，在晶圆背面产生残留膜层的工艺节点前，采用相同的工艺条件下生产测试晶圆与产品晶圆，在测试晶圆的背面形成覆盖整个背面，且与残留膜层的折射率不同的目标膜层，利用棱镜效应原理对测试晶圆的背面进行光学检测，进而实现对产品晶圆背面残留的实时监控。本发明通过在测试晶圆背面覆盖不同折射率的目标膜层，利用可见光对不同膜层堆叠引起的棱镜效应，实现晶圆背面残留异常的监控，方法简单、投入低且时效高。进一步的，由于晶圆背面的残留缺陷实现了快速的实时监控，后续光刻工艺不会因为晶背残留影响晶面曝光，进而不会影响图形转移，避免了产品的良率损失。
本发明授权晶圆背面残留的监控方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆背面残留的监控方法，其特征在于，包括： 相同的工艺条件下生产测试晶圆与产品晶圆，至晶圆背面产生残留膜层的工艺节点； 在测试晶圆的背面形成覆盖整个背面的目标膜层，且所述目标膜层的折射率不同于所述残留膜层的折射率； 利用棱镜效应原理对测试晶圆的背面进行光学检测，以对产品晶圆背面残留进行实时监控。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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