中国科学院大连化学物理研究所吴凯丰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种测定半导体纳米晶单电荷自旋弛豫寿命的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116297224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111495120.X，技术领域涉及：G01N21/21；该发明授权一种测定半导体纳米晶单电荷自旋弛豫寿命的方法是由吴凯丰;韩瑶瑶设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测定半导体纳米晶单电荷自旋弛豫寿命的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种测定半导体纳米晶单电荷自旋弛豫寿命的方法。该半导体纳米晶主要作为吸光材料，有机分子作为电荷受体，利用圆偏振瞬态吸收光谱TA技术进行测试。利用圆偏振光选择性激发半导体纳米晶，产生激子，并且在电荷自旋没有完全翻转之前，用电荷受体快速的将半导体纳米晶的电子或空穴转移走，实现激子解离，产生长寿命的电荷分离态。在此基础上，可测定半导体纳米晶单电荷电子或空穴自旋弛豫的寿命。
本发明授权一种测定半导体纳米晶单电荷自旋弛豫寿命的方法在权利要求书中公布了：1.一种测定半导体纳米晶单电荷自旋弛豫寿命的方法，其特征在于：测定方法是基于半导体纳米晶‑有机分子电荷分离体系实现的；该体系是在光照条件下，基于半导体纳米晶‑有机分子之间发生电荷转移后产生长寿命的电荷分离态的基础上构建完成的；单电荷自旋寿命测试是基于光学跃迁选择定则，采用圆偏振瞬态吸收技术完成的； 半导体纳米晶主要作为吸光材料产生激子，有机分子作为电子受体，利用圆偏振瞬态吸收光谱技术进行测试；利用圆偏振光激发半导体纳米晶，产生激子，并且在空穴自旋没有完全翻转之前，用电子受体快速的将电子转移走，实现激子解离，产生长寿命的电荷分离态。
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