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龙图腾网获悉北京铭镓半导体有限公司申请的专利一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116240623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211670370.7，技术领域涉及：C30B15/34；该发明授权一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用是由胡开朋;吕进;赵德刚;吴忠亮设计研发完成，并于2022-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用。所述方法包括如下步骤：S1，将模具放置在装有原料的坩埚内，且使模具的使用面朝下，然后加热所述坩埚使坩埚内的原料熔化为熔体；S2，上升位于所述模具的使用面垂直下方的籽晶杆直至籽晶与所述模具的使用面接触，熔接后向下移动籽晶杆，完成引晶；S3，对所述坩埚进行降温，直至晶体的生长区域铺满所述模具，完成放肩；S4，对所述坩埚继续进行降温，使晶体等径生长，直至所述原料耗尽；S5，晶体脱模后，停止移动籽晶杆，对晶体降温退火后晶体生长结束。本申请采用向下生长的晶体生长方法，有效解决了现有技术中生长的晶体质量较差的问题，使生长的晶体质量更高。

本发明授权一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种向下生长的导模法晶体生长方法，其特征在于，所述晶体生长方法采用的生长装置包括坩埚和模具，所述坩埚包括环形原料区，所述模具上设置有模具桥，所述模具桥放置于所述坩埚的环形原料区，且所述模具的使用面通过环形原料区内的空腔向下；所述模具和模具桥内均设置有毛细缝，且所述模具和模具桥内的毛细缝相连通，原料熔化的熔体通过所述毛细缝的毛细作用流动至所述模具的使用面；所述方法包括如下步骤： S1，将模具放置在装有原料的坩埚内，且使模具的使用面朝下，然后加热所述坩埚使坩埚内的原料熔化为熔体； S2，上升位于所述模具的使用面垂直下方的籽晶杆直至籽晶杆顶端的籽晶与所述模具的使用面接触，熔接后向下移动籽晶杆，完成引晶； S3，对所述坩埚进行降温，直至晶体的生长区域铺满所述模具，完成放肩； S4，对所述坩埚继续进行降温，使晶体等径生长，直至所述原料耗尽； S5，晶体脱模后，停止移动籽晶杆，对晶体降温退火后晶体生长结束； 所述模具的使用面的角度α为45~60°； 步骤S2中，所述籽晶杆向下移动的速率为10~20mmh。

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