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龙图腾网获悉成都卫讯科技有限公司申请的专利一种Ka双圆极化天线单元及平板阵列天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116231330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310399656.4，技术领域涉及：H01Q15/24；该发明授权一种Ka双圆极化天线单元及平板阵列天线是由邓杰;陈柯佛;罗豪设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Ka双圆极化天线单元及平板阵列天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Ka双圆极化天线单元及平板阵列天线，包括由上到下依次排列的辐射贴片层、缝隙耦合层、波导传输层和馈电网络层；辐射贴片层上设置有若干微带线结构，微带线结构包括第一微带线和第二微带线，第一微带线和第二微带线形成电场正交分量的90°相位差；缝隙耦合层包括第二基板，所述第二基板上设置有与微带线结构相对应的溃源凹槽，缝隙耦合层与辐射贴片层之间在外力作用下发生相对位移，通过相对位移实现与溃源凹槽相对应的微带线结构在左旋圆极化微带线和右旋圆极化微带线之间切换；溃源凹槽与第一基板构成线极化馈源。本发明靠每一个双圆极馈源来形成双圆极化，不依靠馈源波导极化隔板，达到降低天线结构厚度。

本发明授权一种Ka双圆极化天线单元及平板阵列天线在权利要求书中公布了：1.一种Ka双圆极化天线单元，其特征在于，包括由上到下依次排列的辐射贴片层1、缝隙耦合层2、波导传输层3和馈电网络层4； 所述辐射贴片层1包括第一基板11，所述第一基板11上设置有若干微带线结构12，所述微带线结构12包括第一微带线121和第二微带线122，所述第一微带线121和第二微带线122形成电场正交分量的90°相位差； 所述缝隙耦合层2包括第二基板21，所述第二基板21上设置有与微带线结构12相对应的馈源凹槽22； 微带线结构12包括左旋圆极化微带线和右旋圆极化微带线，所述第一微带线121和第二微带线122均为长条矩形，所述第一微带线121和第二微带线122垂直交叉，形成电场正交分量的90°相位差；其中，左旋圆极化微带线的线极化正交分量的相位差为‑90°；右旋圆极化微带线的线极化正交分量的相位差为+90°；所述缝隙耦合层2与辐射贴片层1之间在外力作用下发生相对位移，通过相对位移实现左旋圆极化微带线或右旋圆极化微带线与馈源凹槽22相对应； 所述馈源凹槽22与第一基板11构成线极化馈源； 所述馈电网络层4和波导传输层3用于电磁波的传输。

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