东京毅力科创株式会社木原嘉英获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利处理被处理体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310384766.3，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权处理被处理体的方法是由木原嘉英;久松亨;田端雅弘设计研发完成，并于2018-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本处理被处理体的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤，流程包括：向处理容器内供给第2气体的第1步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，第1气体包含碳原子和氟原子，第2气体包含氨基硅烷类气体，被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，第1步骤不生成第1气体的等离子体。
本发明授权处理被处理体的方法在权利要求书中公布了：1.一种处理被处理体的装置，该被处理体具有第1区域和与所述第1区域不同的第2区域，所述装置的特征在于，包括： 至少一个容器； 在所述至少一个容器内生成等离子体的等离子体生成部；和控制器，所述控制器构成为执行在所述第1区域形成第1膜的工序a和在所述第2区域形成第2膜的工序b，所述工序b包括： 工序i，通过使所述被处理体露出于前体在所述被处理体形成吸附层； 工序ii，通过从改性气体生成等离子体，一边在所述第2区域使所述吸附层改性而形成所述第2膜，一边在所述第1区域除去所述第1膜；和工序iii，反复进行所述工序i和所述工序ii，通过反复进行所述工序i和所述工序ii，在除去所述第1区域的所述第1膜后在所述第1区域形成所述第2膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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