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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116184145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211415078.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统是由李兴冀;杨剑群;侯书浩;吕钢设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统，涉及半导体检测领域，通过将缺陷参数输入至位移缺陷模型中，相当于假定缺陷为位移缺陷，得到模拟出的仿真曲线，这个仿真曲线是MESFET器件发生位移缺陷的情况下得到的曲线，将仿真曲线与通过实际测试得到的性能曲线进行比较，当仿真曲线与性能曲线吻合的时候，就能够验证当前测试的MESFET器件中发生了位移缺陷。用这种方法对MESFET器件进行检测，不需要再通过多次退火试验来进行验证确认，仅对待测元件进行电学性能测试，获得性能曲线，再与模拟仿真获得的仿真曲线相互对比佐证，就能够准确的检测出位移缺陷，提高检测的速度。

本发明授权一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法，其特征在于，包括： 调节测试参数，对经过辐照的待测元件进行检测，获得所述待测元件的缺陷参数和性能曲线，包括设定测试时的填充脉冲电压、脉冲宽度和测试周期，通过改变反偏电压，对所述待测元件进行扫描，得到测试曲线；对获得的所述测试曲线进行对比，判断所述测试曲线中的信号峰是否变化，其中，所述信号峰为所述测试曲线中的突变位置；若所述测试曲线中的所述信号峰没变化，根据所述信号峰的位置，对应的获取所述缺陷参数； 将所述缺陷参数输入至位移缺陷模型中，得到仿真曲线，包括建立与辐照试验对应的所述待测元件的结构模型，其中，所述结构模型中调用所述位移缺陷模型；将所述缺陷参数输入至所述位移缺陷模型中，得到复合率；使用所述复合率对所述待测元件的转移特性进行仿真模拟，得到所述仿真曲线；所述位移缺陷模型包括： ，式中，表示所述复合率，、分别表示电子、空穴的寿命，、分别表示空穴、电子的浓度，表示有效本征载流子浓度，表示本征费米能级，表示缺陷能级，表示玻尔兹曼常数，表示热力学温度； 判断所述性能曲线是否与所述仿真曲线的走势吻合； 若是，则所述待测元件的缺陷为位移缺陷。

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