上海声动微科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海声动微科技有限公司申请的专利雾化芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116140123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211463761.1，技术领域涉及：B05B17/04；该发明授权雾化芯片及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本雾化芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种雾化芯片及其制备方法。雾化芯片包括：衬底，包括单晶硅层和绝缘层；第一电极，位于衬底表面；压电薄膜层，位于第一电极表面；第二电极，位于压电薄膜层表面；多晶硅层，位于第二电极表面，且第一电极、压电薄膜层、第二电极、以及多晶硅层组成压电超声执行器，或第一电极、第二电极、单晶硅层、多晶硅层和电容间隙组成电容式超声执行器，并通过多晶硅层的厚度调节超声执行器频率；加热器，位于衬底表面或超声执行器表面，加热器两端设置有加热器电极；液体通道，阵列排布于雾化芯片表面。上述技术方案，通过超声雾化与加热雾化的结合，降低超声雾化频率以降低功耗，降低加热温度以避免高温隐患。
本发明授权雾化芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种雾化芯片，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底进一步包括单晶硅层和绝缘层； 第一电极，设置于所述衬底表面； 压电薄膜层，设置于所述第一电极表面； 第二电极，设置于所述压电薄膜层表面； 多晶硅层，设置于所述第二电极表面，所述第一电极、所述压电薄膜层、所述第二电极、以及所述多晶硅层组成压电超声执行器，并通过所述多晶硅层的厚度调节压电超声执行器频率； 加热器，通过薄膜沉积形成于所述衬底表面或所述压电超声执行器表面，所述加热器为蛇形，所述加热器两端设置有加热器电极；以及液体通道，所述液体通道阵列排布于雾化芯片表面，用于传输待雾化液体，所述加热器环绕所述液体通道。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海声动微科技有限公司，其通讯地址为：201821 上海市嘉定区嘉定工业区叶城路912号J；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励