长鑫存储技术有限公司藏俊生获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利接触结构的形成方法、半导体结构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111349889.0，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权接触结构的形成方法、半导体结构及存储器是由藏俊生设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本接触结构的形成方法、半导体结构及存储器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种接触结构的形成方法、半导体结构及存储器，所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成牺牲层；对所述牺牲层进行图形化处理，在所述牺牲层中形成暴露所述基底的第一间隙；在所述第一间隙中沉积介质层；去除所述牺牲层，在所述介质层之间形成第二间隙；对所述第二间隙外围的至少部分所述介质层进行刻蚀处理，以扩大所述第二间隙的开口尺寸。本申请实施例可以避免出现刻蚀不足的情况，有助于解决接触结构在高深宽比下刻蚀的断路问题。
本发明授权接触结构的形成方法、半导体结构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种接触结构的形成方法，包括： 提供基底，在所述基底上形成牺牲层； 对所述牺牲层进行图形化处理，在所述牺牲层中形成暴露所述基底的第一间隙； 在所述第一间隙中沉积介质层，所述介质层包括第一介质层和位于所述第一介质层上的第二介质层，在垂直于所述基底的方向上，所述第一介质层具有第一厚度，所述第二介质层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度； 去除所述牺牲层，在所述介质层之间形成第二间隙； 对所述第二间隙外围的至少部分所述第二介质层进行刻蚀处理，以扩大所述第二间隙的开口尺寸，在平行于所述基底的方向上，所述接触结构在所述第一介质层中的所述第二间隙中具有第一最大尺寸，所述接触结构在所述第二介质层中的所述第二间隙中具有第二最大尺寸，所述第二最大尺寸不大于所述第一最大尺寸； 在经过刻蚀处理后的第二间隙中填充导电材料形成接触结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励