长鑫存储技术有限公司裴常进获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310067594.7，技术领域涉及：H10W10/00；该发明授权半导体结构的制造方法是由裴常进设计研发完成，并于2023-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底内具有沿基底正面向背面延伸的沟槽；在基底正面形成填充满沟槽的可流动性电介质膜，且可流动性电介质膜顶面高于基底正面；在第一温度条件下，对可流动性电介质膜进行第一退火处理，形成第一电介质膜；在进行第一退火处理之后，去除位于基底正面部分厚度的第一电介质膜；在第二温度条件下，对剩余的第一电介质膜进行第二退火处理，以形成第二电介质膜，其中，第一温度低于第二温度。本公开实施例提提供的半导体结构的制造方法有利于提高形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底内具有沿所述基底正面向背面延伸的沟槽； 在所述基底正面形成填充满所述沟槽的可流动性电介质膜，且所述可流动性电介质膜顶面高于所述基底正面； 在第一温度条件下，对所述可流动性电介质膜进行第一退火处理，形成第一电介质膜，所述第一退火处理的步骤包括：在第一压强下，提供具有第一流量的反应气体，使得位于所述沟槽上方的所述第一电介质膜的致密度大于或等于位于所述沟槽中的所述第一电介质膜的致密度； 在进行所述第一退火处理之后，去除位于所述基底正面部分厚度的所述第一电介质膜，其中，被去掉的所述第一电介质膜的致密度大于被保留的所述第一电介质膜的致密度； 在第二温度条件下，对剩余的所述第一电介质膜进行第二退火处理，以形成第二电介质膜，其中，所述第一温度低于所述第二温度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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