买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种导通电阻的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116087619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310046117.2，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权一种导通电阻的测试方法是由陈培申;谢晋春;李晶晶设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种导通电阻的测试方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种导通电阻的测试方法，通过在所述测试机台和所述承片台之间的探针卡端或在所述测试机台与所述承片台通路上的测试机台端串接大功率高精度的标准电阻形成“伪”开尔文四线测试回路，可以通过使电压量测回路工作在最佳工作区，进一步消除承片台自身电阻R1和承片台与晶圆背面的接触电阻R2带来的测量误差，从而提高整体的测试精度和整个系统的适配性，以应对不同产品的精确测量。因此，避免了在CP测试过程中，由于分立器件的导通电阻非常小已经进入毫欧级，传统的“伪”开尔文四线法测试对晶圆面内的超小Rdsondson测试值均一性较差且整体测试值偏大，将不能准确反映被测器件的真实阻值，对被测电阻精确度构成极大挑战问题的出现。

本发明授权一种导通电阻的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种导通电阻的测试方法，其特征在于，应用于晶圆测试系统，所述测试系统包括测试机台、承片台和探针卡，所述测试方法包括如下步骤： 提供一待测晶圆和一标准电阻，将所述待测晶圆放置在所述承片台上，并通过四条引线将承载有所述待测晶圆的承片台、测试机台、探针卡以及所述标准电阻串联成电压回路和电流回路； 对所述待测晶圆进行晶圆测试，以通过所述电压回路和电流回路，利用“伪”开尔文四线法确定所述待测晶圆在晶圆测试中的导通电阻； 串联所述电压回路中的引线为高电压回路引线SH和低电压回路引线SL，串联所述电流回路的引线为高电流回路引线FH和低电流回路引线FL； 其中，所述低电压回路引线SL和低电流回路引线FL通过所述探针卡直接连接到所述待测晶圆的源端，而所述高电流回路引线FH和高电压回路引线SH直接连接到所述测试机的承片台上，以经过所述承片台的表面与待测晶圆背面的漏端相连； 在所述电压回路和所述电流回路中，所述标准电阻串接在所述测试机台与所述承片台之间的探针卡端；或者； 在所述电压回路和所述电流回路中，所述标准电阻串接在测试机台与所述承片台通路上的测试机台端； 对所述待测晶圆进行晶圆测试，以通过所述电压回路和电流回路，利用“伪”开尔文四线法确定所述待测晶圆在晶圆测试中的导通电阻的步骤，包括： 在所述待测晶圆的GS端和DS端分别施加第一电压和第一电流，并对所述待测晶圆进行首次晶圆测试，以得到所述晶圆测试系统的偏置电阻Roffset，其中，所述Roffset为所述承片台的自身电阻R1和所述待测晶圆与所述承片台之间的接触电阻R2的电阻之和； 在所述待测晶圆的GS端和DS端分别施加第二电压和第二电流，并进一步对所述待测晶圆进行非首次晶圆测试，且利用预设导通电阻计算公式得到所述导通电阻，其中，所述第一电流小于所述第二电流； 当所述标准电阻串接在所述测试机台与所述承片台之间的探针卡端时，所述偏置电阻的计算公式为： Roffset1=R1+R2+Ra=K*Rcp1+1‑KRa； 而所述预设导通电阻的计算公式为： Rdson=Rcp2‑Roffset1； 其中，Roffset1为所述标准电阻串接在所述测试机台与所述承片台之间的探针卡端时的偏置电阻，R1为承片台本身电阻，R2为所述待测晶圆与所述承片台之间的接触电阻，Ra为第一标准电阻，Ra的取值范围为大于零；K为系数，且K的取值范围为0~1；Rcp1为对所述待测晶圆进行首次测试时得到的测试值，Rcp2为对所述待测晶圆进行非首次测试时得到的测试值， Rdson为待测晶圆在晶圆测试中的导通电阻； 当所述标准电阻串接在测试机台与所述承片台通路上的测试机台端时，所述电压回路和所述电流回路还包括并联接入在所述测试机台与所述承片台之间的继电器K1、K2、...、K11、...、Kn，而所述标准电阻则包括分别与所述继电器K1、K2、...、K11、...、Kn对应串联的电阻Ra1、Ra2、...、Ra11、...、Ran中的一个，n为继电器总个数； 当所述标准电阻串接在测试机台与所述承片台通路上的测试机台端时，所述偏置电阻的计算公式为： Roffset2=R1+R2=K*Rcp1‑Rai； 所述预设导通电阻的计算公式为： Rdson=Rcp2‑Roffset2‑Rai； 其中，Roffset2为当所述标准电阻串接在测试机台与所述承片台通路上的测试机台端时的偏置电阻，Rai为第二标准电阻，Rai为取值大于等于零的Ra1、Ra2、...、Ran中的一个，i的取值为1、2、...、n。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。