联华电子股份有限公司张明华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966466B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111185692.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权高电子迁移率晶体管及其制作方法是由张明华;廖琨垣;郭龙恩;叶治东设计研发完成，并于2021-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管的制作方法包含提供一基底，接着形成一沟道层、一主动层、一P型III‑V族化合物材料层、一金属化合物材料层、一硬掩模材料层和一图案化光致抗蚀剂层覆盖基底，然后进行一干蚀刻制作工艺包含以图案化光致抗蚀剂层为掩模，干蚀刻硬掩模材料层和金属化合物材料层以形成一硬掩模层和一金属化合物层，其中在干蚀刻制作工艺时所产生的副产物形成一间隙壁环绕图案化光致抗蚀剂、硬掩模层和金属化合物层，在干蚀刻制作工艺后，以间隙壁和图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻P型III‑V族化合物材料层。
本发明授权高电子迁移率晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管的制作方法，包含： 提供基底； 形成沟道层、主动层、P型III‑V族化合物材料层、金属化合物材料层、硬掩模材料层和光致抗蚀剂层依序由下至上堆叠覆盖在该基底上； 图案化该光致抗蚀剂层以形成图案化光致抗蚀剂层； 进行干蚀刻制作工艺包含以该图案化光致抗蚀剂层为第一掩模，干蚀刻该硬掩模材料层和该金属化合物材料层，使得该硬掩模材料层转变成硬掩模层，该金属化合物材料层转变为金属化合物层，其中在干蚀刻该硬掩模材料层和该金属化合物材料层时所产生的副产物形成间隙壁，环绕该图案化光致抗蚀剂、该硬掩模层和该金属化合物层； 在该干蚀刻制作工艺后，以该间隙壁和该图案化光致抗蚀剂层为第二掩模，蚀刻该P型III‑V族化合物材料层；以及移除该间隙壁、该图案化光致抗蚀剂层和该硬掩模层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励