嘉兴阿特斯技术研究院有限公司陈曦获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利异质结电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111134974.5，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权异质结电池的制备方法是由陈曦;张达奇;吴坚;蒋方丹设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种异质结电池的制备方法，包括于真空环境下，在硅基衬底的上下表面制备本征非晶硅层以及在本征非晶硅层上制备掺杂层的镀膜工艺；所述镀膜工艺包括如下步骤：先以第一沉积速率在硅基衬底的上下表面沉积第一本征非晶硅层，所述第一沉积速率介于0.4nms～1.2nms之间；再在所述第一本征非晶硅层上以第二沉积速率沉积第二本征非晶硅层，所述第二沉积速率介于0.03nms～0.3nms之间；沿远离所述本征非晶硅层的方向，在所述本征非晶硅层上形成掺杂浓度逐渐增大的掺杂层；增强钝化效果，且能够提高最终形成的异质结电池的光电转换效率。
本发明授权异质结电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结电池的制备方法，包括于真空环境下，在硅基衬底的上下表面制备本征非晶硅层以及在本征非晶硅层上制备掺杂层的镀膜工艺；其特征在于：所述镀膜工艺包括如下步骤： 先以第一沉积速率在硅基衬底的上下表面沉积第一本征非晶硅层，所述第一沉积速率介于0.4 nms ~1.2 nms之间； 再在所述第一本征非晶硅层上以第二沉积速率沉积第二本征非晶硅层，所述第二沉积速率介于0.03nms ~0.3 nms之间，沉积所述第二本征非晶硅层时，沿着远离所述第一本征非晶硅层的方向，硅烷与氢气的比例逐渐减小；或者，沉积所述第二本征非晶硅层时，沿着远离所述第一本征非晶硅层的方向，所述第二沉积速率逐渐降低； 沿远离所述本征非晶硅层的方向，在所述本征非晶硅层上形成掺杂浓度逐渐增大的掺杂层，沿远离所述本征非晶硅层的方向，硅烷与掺杂元素之间的比例由5：1~1：3逐渐增大至1：1~1：6。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，其通讯地址为：314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励