上海新微半导体有限公司王玮竹获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211677778.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由王玮竹;许东;沈硕珩;江灵荣;任芳;尚金铭设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：于衬底层上设置介质层；于所述介质层形成多个凹槽；于凹槽内设置成核层，成核层和介质层形成复合层；于复合层上生长金刚石层；去除衬底层，以显露出复合层；于复合层的表面设置三五族化合物层。本发明通过在金刚石层上间隔设置介质层和成核层构成的复合层，复合层作为三五族化合物层生长的成核层，同时利用间隔的成核层横向外延时湮灭位错，降低了垂直外延产生的位错密度，从而形成以金刚石为基底的低缺陷密度的高质量三五族化合物层及其构成的HEMT器件。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供衬底层； 于所述衬底层上设置介质层； 于所述介质层形成多个凹槽； 于所述凹槽内设置成核层，所述成核层和所述介质层间隔设置形成复合层； 于所述复合层上生长金刚石层； 去除所述衬底层，以显露出所述复合层远离所述金刚石层的表面； 于所述复合层远离所述金刚石层的表面设置三五族化合物层，相隔的所述成核层在横向生长以越过所述介质层时进行合并成层，从而使所述成核层在垂直方向生长时产生的位错发生湮灭，降低所述成核层在生长过程中产生的晶格缺陷，提高生长出的所述三五族化合物层的质量。
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