合肥博雅半导体有限公司安友伟获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥博雅半导体有限公司申请的专利非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115841840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211601975.0，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法是由安友伟设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法在说明书摘要公布了：本申请公开了非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法。所述参考单元修复方法包括：在晶圆测试阶段进行第一次参考单元修复；以及在封装测试阶段进行第二次参考单元修复，其中，所述非易性存储器的参考单元模块包括第一子阵列和第二子阵列，所述参考单元修复包括在存在缺陷的所述第一子阵列的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的所述第二子阵列的第二参考单元之间形成地址映射。其中，在晶圆测试阶段及封装测试阶段通过对存在缺陷的第一参考单元进行修复，从而提升芯片良率。
本发明授权非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器的参考单元修复方法，包括： 在晶圆测试阶段进行第一次参考单元修复；以及在封装测试阶段进行第二次参考单元修复，其中，所述非易失性存储器的参考单元模块包括第一子阵列和第二子阵列，所述参考单元修复包括： 在判断所述第一子阵列中的第一参考单元存在缺陷时，调节所述第二子阵列中的第二参考单元的阈值电压为设计值；以及在存在缺陷的所述第一参考单元与被调节的所述第二参考单元之间形成地址映射。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥博雅半导体有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区东方大道288号美景庄园4#楼5层西边；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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