中国科学院金属研究所李经明获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种超声波检测半导体硅环隐裂缺陷的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115839999B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211384000.7，技术领域涉及：G01N29/24；该发明授权一种超声波检测半导体硅环隐裂缺陷的方法及装置是由李经明;蔡桂喜;唐明强;张双楠;刘芳;杨慧宾设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超声波检测半导体硅环隐裂缺陷的方法及装置在说明书摘要公布了：一种超声波检测半导体硅环隐裂缺陷的方法及专用装置，具体为：选取水浸聚焦超声探头的压电晶片的尺寸为6～10mm，频率范围为1MHz～15MHz；计算超声波在水硅界面折射出横波、表面波和爬波所需入射角；根据入射角的数值调节多组超声探头以不同倾斜角度发射超声波；超声波在半导体硅环表面发生折射，产生波形转换现象，不同入射角的超声波在半导体硅环中激励出的折射波按一定的传播路径在硅片中传播，当与缺陷相遇后会发生超声散射，散射中的反射波按原路径返回被超声探头接收到；超声探头将反射波信号转化为检测电信号并传输给超声波仪器，超声波仪器将结果信号上传给工控计算机，工控计算机中的成像软件将检测结果成像并显示整个半导体硅片的隐形缺陷分布信息。
本发明授权一种超声波检测半导体硅环隐裂缺陷的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种超声波检测半导体硅环隐裂缺陷的方法，其特征在于：包括以下检测步骤： 1选取水浸聚焦超声探头的压电晶片的尺寸范围为6～10mm，频率范围为1MHz～15MHz；计算出超声波在水硅界面折射出横波、表面波和爬波所需的入射角； 2根据不同波形的特定入射角的数值，调节多组超声探头以不同倾斜角度发射超声波； 3超声波在半导体硅环表面发生散射，产生波形转换现象，不同入射角的超声波在半导体硅环中激励出的折射波按一定的传播路径在硅片中传播，当与裂纹缺陷相遇后会发生超声散射，散射中的反射波按原路径返回被超声探头接收到；超声探头将反射波信号转化为检测电信号，然后将检测电信号传输给超声波仪器，超声波仪器将结果信号上传给工控计算机，工控计算机中的成像软件将检测结果进行成像，并在显示器中显示整个半导体硅片的隐形缺陷分布信息。
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