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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利集成低压器件的耐高压开关器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831963B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211410467.4，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权集成低压器件的耐高压开关器件及其制备方法、芯片是由吴龙江设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成低压器件的耐高压开关器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及一种集成低压器件的耐高压开关器件及其制备方法、芯片。集成低压器件的耐高压开关器件包括N型碳化硅衬底、漂移层、缓冲层、沟道层、势垒层、高压漏极以及设于高压器件区内的中介金属层、高压源极和高压栅极。本申请通过将高压漏极设于N型碳化硅衬底的背面，可以形成由高压漏极、N型碳化硅衬底、第二漂移区、中介金属层、二维电子气和高压源极组成的导电通路。通过将N型碳化硅衬底和第二漂移区作为导电通路的一部分，从而利用碳化硅的特性，提高形成的半导体器件的耐高压性能。通过浅沟渠隔离层可以切断二维电子气，使各个器件区相互独立。通过第一漂移区则可以避免高压器件区中的高电压影响低压器件区中的HEMT器件工作。

本发明授权集成低压器件的耐高压开关器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种集成低压器件的耐高压开关器件，其特征在于，包括： N型碳化硅衬底； 依次层叠设于所述N型碳化硅衬底的正面的漂移层、缓冲层、沟道层和势垒层；其中，所述漂移层包括并排设置的第一漂移区和第二漂移区，且所述第一漂移区内设有多个与所述漂移层掺杂类型不同的浮岛结构； 第一浅沟渠隔离层，设于所述势垒层和所述沟道层中，且深入至所述缓冲层，以将所述势垒层和所述沟道层划分为高压器件区和低压器件区； 高压漏极，设于所述N型碳化硅衬底的背面； 中介金属层，设于所述第二漂移区上，且与所述高压器件区的所述缓冲层、所述沟道层和所述势垒层的第一侧接触； 高压源极，设于所述高压器件区内的所述势垒层的第二侧，且深入至所述沟道层内； 高压栅极，设于所述中介金属层和所述高压源极之间的所述势垒层上； 低压源极、低压漏极和低压栅极，均设于所述低压器件区内，以组成对应的低压HEMT器件； 所述低压源极和所述低压漏极均设于所述沟道层上且与所述势垒层接触，所述低压栅极设于所述低压源极和所述低压漏极之间的所述势垒层上。

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