华灿光电(浙江)有限公司兰叶获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善光串扰的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211400155.5，技术领域涉及：H10H20/855；该发明授权改善光串扰的发光二极管及其制备方法是由兰叶;王江波;吴志浩;张威设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善光串扰的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善光串扰的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：基板、外延层和光改善层，所述外延层位于所述基板上，所述光改善层位于所述外延层的侧壁；所述光改善层包括：第一膜层和第二膜层，所述第一膜层位于所述外延层的侧壁，所述第二膜层位于所述第一膜层远离所述外延层的表面，所述第一膜层的折射率与所述外延层的折射率的差值不超过0.5，所述第二膜层用于吸收入射至所述第二膜层的光线。本公开实施例能有效减少外延层的侧面出光，改善发光二极管的光串扰问题。
本发明授权改善光串扰的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：基板10、外延层20和光改善层30，所述外延层20位于所述基板10上，所述外延层20包括依次层叠于所述基板10上的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23，所述光改善层30位于所述第一半导体层21的侧壁、所述多量子阱层22的侧壁和所述第二半导体层23的侧壁上； 所述光改善层30包括：第一膜层31和第二膜层32，所述第一膜层31位于所述第一半导体层21的侧壁、所述多量子阱层22的侧壁和所述第二半导体层23的侧壁上，所述第二膜层32位于所述第一膜层31远离所述外延层20的表面，所述第一膜层31的折射率与所述外延层20的折射率的差值不超过0.5，所述第一膜层31包括硅胶层和内嵌在所述硅胶层内的GaP颗粒，所述第二膜层32用于吸收入射至所述第二膜层32的光线。
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