爱思开海力士有限公司金宗佑获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115705899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210257124.2，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权存储器装置是由金宗佑;辛泳哲设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器装置。本文提供了一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行用于将数据存储在多个存储器单元中的被选存储器单元中的编程操作；以及控制逻辑电路，其被配置为控制所述外围电路形成分别对应于目标编程状态的阈值电压分布，所述目标编程状态对应于要存储在被选存储器单元中的数据，其中，当针对被选存储器单元的目标编程状态中的任何一种的预验证操作已通过时，控制逻辑电路控制外围电路执行针对目标编程状态中的所述任何一种的主验证操作。
本发明授权存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，该存储器装置包括： 存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储器单元； 外围电路，该外围电路执行用于将数据存储在所述多个存储器单元当中的被选存储器单元中的编程操作，所述编程操作包括多个编程循环；以及控制逻辑电路，该控制逻辑电路控制所述外围电路执行包括主验证操作和预验证操作中的一者的编程验证操作，所述编程验证操作验证所述被选存储器单元是否形成分别对应于与要存储在所述被选存储器单元中的数据相对应的目标编程状态的阈值电压分布，其中，当在所述多个编程循环中的任何一个编程循环中针对所述被选存储器单元的所述目标编程状态中的任何一种的所述预验证操作已通过时，所述控制逻辑电路控制所述外围电路在所述多个编程循环中的所述任何一个编程循环的下一编程循环中执行针对所述目标编程状态中的所述任何一种的所述主验证操作，并且在所述下一编程循环中跳过针对所述目标编程状态中的所述任何一种的所述预验证操作，并且其中，当具有低于预验证电压的阈值电压的存储器单元的数量大于存储器单元的参考数量时，所述预验证操作被确定为已经失败。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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