西安建筑科技大学叶鸣获国家专利权
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龙图腾网获悉西安建筑科技大学申请的专利基于准光腔的半导体材料少数载流子寿命检测系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115684860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211342475.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权基于准光腔的半导体材料少数载流子寿命检测系统及方法是由叶鸣;杨放设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于准光腔的半导体材料少数载流子寿命检测系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于准光腔的半导体材料少数载流子寿命检测系统及方法，包括微波信号源、准光腔、检波器、直流信号检测装置及脉冲激光源；微波信号源的输出端与准光腔的输入端相连接，准光腔的输出端与检波器的输入端相连，检波器的输出端与直流信号检测装置的输入端相连接，脉冲激光源正对待测半导体材料，待测半导体材料位于准光腔内，该系统及方法具有制样成本低及灵敏度高的特点。
本发明授权基于准光腔的半导体材料少数载流子寿命检测系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于准光腔的半导体材料少数载流子寿命检测系统，其特征在于，包括微波信号源1、准光腔3、检波器2、直流信号检测装置5及脉冲激光源4； 微波信号源1的输出端与准光腔3的输入端相连接，准光腔3的输出端与检波器2的输入端相连，检波器2的输出端与直流信号检测装置5的输入端相连接，脉冲激光源4正对待测半导体材料，待测半导体材料位于准光腔3内; 准光腔3为平凹腔或双凹腔; 待测半导体材料置于准光腔3内的电场最强位置处; 根据待测半导体材料的尺寸及掺杂浓度，设计并优化准光腔3，所述准光腔3为平凹腔或双凹腔，设计优化参数包括球面镜口径、球面镜曲率半径、腔长、模式数及腔壁材料,在准光腔3的设计过程中，谐振频率、品质因子及模式数的设计需考虑微波与半导体互作用的机理及规律，以提高检测灵敏度。
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