长鑫存储技术有限公司孙雨萌获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115662990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110775010.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法是由孙雨萌设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。本发明实施例用以解决相关技术中的问题。第一导电区和第二导电区位于第一栅极结构的两侧，在垂直于衬底的方向上，第一导电区与第二导电区具有不同的高度位置。当向第一栅极结构施加适当的电压时，第一导电区和第二导电区之间且靠近第一栅极结构的一侧形成能够导电的第一沟道区，由于第一导电区与第二导电区具有不同的高度位置，相比于第一导电区与第二导电区平行于衬底表面方向的距离，第一沟道区的长度增大，有利于减少半导体结构的漏电现象，提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 位于衬底上的第一栅极结构、第一导电区和第二导电区，所述第一导电区和所述第二导电区位于所述第一栅极结构的两侧，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一导电区与所述第二导电区具有不同的高度位置； 还包括位于衬底上的第二栅极结构和第三导电区，所述第一导电区和所述第三导电区位于所述第二栅极结构的两侧，在垂直于所述衬底的方向上，所述第三导电区与所述第一导电区具有不同的高度位置； 所述衬底呈“凹”字结构，所述第一导电区所在的所述衬底表面位置低于所述第二导电区所在的所述衬底表面位置，所述第一导电区所在的所述衬底表面位置低于所述第三导电区所在的所述衬底表面位置。
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