长鑫存储技术有限公司高远皓获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构制作方法、半导体结构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642126B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110812620.5，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权一种半导体结构制作方法、半导体结构及存储器是由高远皓;吴双双设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构制作方法、半导体结构及存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构制作方法、半导体结构及存储器，半导体结构制作方法包括：提供衬底，衬底包括相对的第一表面和第二表面；在衬底的第一表面上形成第一介质层，其中，第一介质层内形成有半导体器件；在第一介质层上形成延伸至衬底内的第一沟槽；在第一介质层上形成第一阻挡层，第一阻挡层覆盖第一沟槽的内壁和第一介质层的表面，其中，第一阻挡层与半导体器件连接；在衬底的第二表面上形成与第一沟槽对应的第二沟槽，其中，第一阻挡层作为第二沟槽形成时的停止层；在衬底上形成第二阻挡层，第二阻挡层覆盖第二表面和第二沟槽的内壁，其中，第二阻挡层与第一阻挡层连接。
本发明授权一种半导体结构制作方法、半导体结构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面； 在所述衬底的所述第一表面上形成第一介质层，其中，所述第一介质层内形成有半导体器件； 在所述第一介质层上形成延伸至所述衬底内的第一沟槽； 在所述第一介质层上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层覆盖所述第一沟槽的内壁和所述第一介质层的表面，其中，所述第一阻挡层与所述半导体器件连接； 在所述衬底的所述第二表面上形成与所述第一沟槽对应的第二沟槽，其中，所述第一阻挡层作为所述第二沟槽形成时的停止层； 在所述衬底上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层覆盖所述第二表面和所述第二沟槽的内壁，其中，所述第二阻挡层与所述第一阻挡层连接。
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