赛奥科思有限公司;住友化学株式会社吉田丈洋获国家专利权
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龙图腾网获悉赛奥科思有限公司;住友化学株式会社申请的专利氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115637491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211203575.4，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体是由吉田丈洋设计研发完成，并于2019-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体。所述制造方法具有如下工序：准备基底基板的工序；第一工序，使具有露出0001面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在基底基板的主面上直接外延生长，使顶面产生由除了0001面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向基底基板的主面的上方去而缓缓扩大，使0001面从顶面消失，从而使表面仅由倾斜界面构成的第一层生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长。
本发明授权氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体基板，其具有2英寸以上的直径和300μm以上且1mm以下的厚度，在所述厚度整体中仅由III族氮化物半导体的单晶形成，且所述氮化物半导体基板具有最近的低指数晶面为0001面的主面，利用多光子激发显微镜以250μm见方的视野观察所述主面时检出的暗点的95%以上对应于位错，而不是对应于以异物或点缺陷为起因的非发光中心，所述主面以100个cm2以上的密度具有不重叠的50μm见方的无位错区域。
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