长鑫存储技术有限公司杨正杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115623776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110791853.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器结构是由杨正杰设计研发完成，并于2021-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器结构在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种存储器结构，包括：电容结构，电容结构具有上电极层；导电柱，导电柱位于上电极层上，且与上电极层接触电连接；金属层，金属层位于导电柱远离上电极层的一侧，且导电柱与金属层朝向上电极层的表面相接触；缓冲柱，缓冲柱与导电柱间隔设置，缓冲柱与金属层朝向上电极层的表面相接触，且自金属层向上电极层方向延伸。本发明通过不同的缓冲柱设计方式以减少导电柱受到的应力作用进而提高导电柱与上电极层的接触的稳定性。
本发明授权存储器结构在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，其特征在于，包括： 电容结构，所述电容结构具有上电极层； 导电柱，所述导电柱位于所述上电极层上，且与所述上电极层接触电连接； 金属层，所述金属层位于所述导电柱远离所述上电极层的一侧，且所述导电柱与所述金属层朝向所述上电极层的表面相接触； 缓冲柱，所述缓冲柱与所述导电柱间隔设置，所述缓冲柱与所述金属层朝向所述上电极层的表面相接触，且自所述金属层向所述上电极层方向延伸； 在自所述金属层指向所述上电极层的方向上，所述缓冲柱的长度小于所述导电柱的长度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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