联华电子股份有限公司刘仕佑获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110804722.2，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体元件及其制作方法是由刘仕佑;陈士程;张家玮;郭家铭;温在宇;王俞仁设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一鳍片，从一基底突出并沿第一方向延伸；一栅极结构，在所述鳍片上沿第二方向延伸；一密封层，位于所述栅极结构的侧壁上；一第一碳峰值浓度，位于所述密封层中；一第一间隙壁层，位于所述密封层上；一第二碳峰值浓度，位于所述第一间隙壁层中；以及一第二间隙壁层，位于所述第一间隙壁层上。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包含： 鳍片，从基底突出并沿第一方向延伸； 栅极结构，在所述鳍片上沿第二方向延伸； 密封层，位于所述栅极结构的侧壁上，所述密封层包含SiOCN且厚度为40埃； 第一碳峰值浓度，位于所述密封层中； 第一间隙壁层，位于所述密封层上，所述第一间隙壁层包含SiOCN且厚度为70埃； 第二碳峰值浓度，位于所述第一间隙壁层中；以及第二间隙壁层，位于所述第一间隙壁层上，其中，所述第一碳峰值浓度位于所述第一间隙壁层和所述第二间隙壁层之间的界面下方80埃至84埃处。
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