南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司戴家赟获国家专利权
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龙图腾网获悉南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司申请的专利一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115580253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211232171.8，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法是由戴家赟;王飞;王元;孔月婵设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其步骤有：在衬底上生长单晶压电薄膜，压电薄膜上方制备上电极；图形化，构成分立的谐振器器件区域；在器件上方光刻通孔，并分别刻蚀上电极和压电薄膜；通过通孔在器件区域下方形成一个空腔；通过ALD在上电极上方、通孔内部、压电薄膜背面和空腔内部沉积金属；对上电极上方进行图形化，得到由上电极、单晶压电薄膜、下电极组成的单晶压电薄膜体声波谐振器。本发明不用通过晶圆键合工艺即可实现带有空腔的谐振器结构，有效避免了复杂的晶圆键合工艺过程，对异质衬底上晶格失配和热失配的外延单晶AlN薄膜的潜在破坏，以及因此导致的谐振器失效问题。并且工艺简单，易于批量加工。
本发明授权一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在衬底上生长单晶压电薄膜，然后在压电薄膜上方制备上电极； 2分别将上电极和压电薄膜进行图形化，构成分立的谐振器器件区域； 3在器件上方光刻通孔，并分别刻蚀上电极和压电薄膜，直到衬底上表面； 4通过干法刻蚀或湿法腐蚀的方式，通过通孔在器件区域下方形成一个空腔； 5通过ALD在上电极上方、通孔内部、压电薄膜背面和空腔内部沉积金属； 6对上电极上方通过ALD沉积的金属进行图形化，得到由上电极、单晶压电薄膜、下电极组成的单晶压电薄膜体声波谐振器。
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