中国科学院半导体研究所伊晓燕获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498074B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110682878.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法是由伊晓燕;宋武睿;刘志强;梁萌;张逸韵;王军喜;李晋闽设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法，该制备方法包括：在衬底上外延非掺GaN层；在非掺GaN层上制备介质DBR；在介质DBR上覆盖石墨烯层；刻蚀石墨烯层和介质DBR使所非掺GaN层裸露，形成图形化的底层介质DBR；在非掺杂GaN层的裸露区域和底层介质DBR上外延形成GaN合并层；在GaN合并层上形成外延主体层；在外延主体层上形成导电层；在导电层上制备图形化的顶层介质DBR，得到所述垂直发射发光器。本公开提供的基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器的制备工艺简单，大幅降低器件的生产成本。
本发明授权基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上外延非掺GaN层； 在所述非掺GaN层上制备介质DBR； 在所述介质DBR上覆盖石墨烯层； 刻蚀所述石墨烯层和所述介质DBR使所述非掺GaN层裸露，形成图形化的底层介质DBR； 在所述非掺GaN层的裸露区域和所述图形化的底层介质DBR上外延形成GaN合并层； 在所述GaN合并层上形成外延主体层； 在所述外延主体层上形成导电层；以及在所述导电层上制备图形化的顶层介质DBR，得到所述垂直发射发光器。
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