全磊光电股份有限公司单智发获国家专利权
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龙图腾网获悉全磊光电股份有限公司申请的专利一种低损耗DFB激光器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115275775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210904506.X，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权一种低损耗DFB激光器及其制造方法是由单智发;张永;张双翔;陈阳华设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低损耗DFB激光器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低损耗DFB激光器，该低损耗DFB激光器的外延结构上生长两层P‑AlGaInAs外延层，并通过芯片工艺氧化，形成P‑AlGaInAs氧化限制层，采用这种结构可使脊条的宽度较宽，可降低DFB激光器的欧姆接触电阻，采用氧化限制层调节可DFB激光器的光场宽度，同时利用氧化限制层折射率较低的特性，可压缩DFB激光器光场模式，降低光场在P‑InP脊波导中的比例，降低光吸收损耗。
本发明授权一种低损耗DFB激光器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低损耗DFB激光器，包括InP基底001，在InP基底001上由下至上依次生长有N‑InP缓冲层002、N‑AlGaInAs下限制层003、N‑AlGaInAs下波导层004、AlGaInAs量子阱005、P‑AlGaInAs上波导层006、P‑AlGaInAs上限制层007、P‑InP缓冲层008、P‑InGaAsP腐蚀截止层009，其特征在于：所述腐蚀截止层009上设有一纵向的脊条，所述脊条包括P‑AlGaInAs氧化限制层010、InP联接层011、P‑InGaAsP光栅层012、P‑AlGaInAs氧化限制层013、P‑InGaAsP势垒过度层014，P‑InGaAs欧姆接触层015，P‑AlGaInAs氧化限制层010、013厚度范围13‑18nm，波长范围为916‑925nm，掺杂浓度范围为
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