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瑷司柏电子股份有限公司;上海钊辉科技有限公司余河洁获国家专利权

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龙图腾网获悉瑷司柏电子股份有限公司;上海钊辉科技有限公司申请的专利具复数功率元件电源模块的间隔加压结合法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115249620B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110462602.9,技术领域涉及:H10W72/00;该发明授权具复数功率元件电源模块的间隔加压结合法是由余河洁;廖陈正龙;林俊佑;黄安正;陈昆赐;梁荣华;詹雅惠;杨奇桦;黄孝登;王敬文设计研发完成,并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

具复数功率元件电源模块的间隔加压结合法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种具复数功率元件电源模块的间隔加压结合法,包括下列步骤:将复数功率元件间隔地设置在第一陶瓷基板上并在每一功率元件上分别设置一金属间隔块,其中金属间隔块远离第一陶瓷基板方向定义为一设置面;将设置有一层纳米银层的第二陶瓷基板覆盖至设置面,更可分离地在第一和第二陶瓷基板间,设置高度超过功率元件和金属间隔块总和且低于功率元件和金属间隔块再加上纳米银层厚度的间隔模具垫块;在垂直第一和第二陶瓷基板方向加压并加热熔融纳米银层使得纳米银层分别融为厚度较薄的银层并和金属间隔块分别导电接合,并加以冷却而固化。

本发明授权具复数功率元件电源模块的间隔加压结合法在权利要求书中公布了:1.一种具复数功率元件电源模块的间隔加压结合法,其特征是,包括下列步骤: a将复数功率元件间隔地设置在第一陶瓷基板上,其中每一前述功率元件具有一对分别位于顶面和底面的出入电极,且该第一陶瓷基板上形成有接垫电路层,分别供导电结合上述功率元件底面的出入电极,并且在每一上述功率元件的上述顶面的出入电极上分别设置一对应金属间隔块,其中上述金属间隔块远离上述第一陶瓷基板方向定义为一设置面; b将设置有一层纳米银层的第二陶瓷基板,以具有上述纳米银层的连接面覆盖至上述设置面,使得上述金属间隔块的上述设置面分别压迫深入上述纳米银层,其中,以可分离地方式,在该第一陶瓷基板和上述第二陶瓷基板间,设置高度超过上述功率元件和上述金属间隔块总和,且低于上述功率元件和上述金属间隔块再加上述纳米银层厚度的复数间隔模具垫块,确保上述金属间隔块均可深入上述纳米银层,且不会直接触及上述第二陶瓷基板而造成损坏; c在垂直上述第一和第二陶瓷基板方向加压并加热熔融上述纳米银层使得上述纳米银层分别融为厚度较薄的银层并和上述金属间隔块分别导电接合,并加以冷却而固化上述纳米银层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人瑷司柏电子股份有限公司;上海钊辉科技有限公司,其通讯地址为:中国台湾桃园市龟山区南上路526号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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