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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利一种像素结构测量装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115240574B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210815460.4，技术领域涉及：G09G3/00；该发明授权一种像素结构测量装置及方法是由韩成旼;张舰设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种像素结构测量装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种像素结构测量装置及方法。像素结构测量装置包括测试元件组、断开单元和电学测量单元；测试元件组与待测量的像素结构中的第二薄膜晶体管的源极、漏极和栅极电连接；断开单元用于将第三薄膜晶体管的源极与共享分压走线断开连接，以及将第三薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的漏极断开连接；电学测量单元与测试元件组电连接，用于根据测试元件组的测量信号得到第二薄膜晶体管的电学特性测量值。本发可以避免第二薄膜晶体管受到共享分压走线和第三薄膜晶体管的分压效果的影响，让测试元件组采集到的信号是第二薄膜晶体管独立真实的电学信号，使电学测量单元最后测得的第二薄膜晶体管的电学信号真实准确。

本发明授权一种像素结构测量装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种像素结构测量装置，其特征在于，包括： 测试元件组，与待测量的像素结构中的第二薄膜晶体管的源极、漏极和栅极电连接；所述像素结构还包括主像素区、次像素区、第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的源极和漏极，分别与数据线和所述主像素区的主像素电极相连；所述第二薄膜晶体管的源极和漏极，分别与所述数据线和所述次像素区的次像素电极相连；所述第三薄膜晶体管的源极和漏极，分别与共享分压走线和所述第二薄膜晶体管的漏极相连；所述测试元件组包括第一电极、第二电极和第三电极，测量时，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极分别与所述第二薄膜晶体管的源极、漏极和栅极电连接，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极构成薄膜晶体管； 断开单元，用于将所述第三薄膜晶体管的源极与所述共享分压走线断开连接，以及将所述第三薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的漏极断开连接； 电学测量单元，与所述测试元件组电连接，用于根据所述测试元件组的测量信号得到所述第二薄膜晶体管的电学特性测量值。

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