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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利存储器芯片的失效单元检测修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110271219.5，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权存储器芯片的失效单元检测修复方法是由金雄熙;张欣;杨涛;赵劼设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器芯片的失效单元检测修复方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种存储器芯片的失效单元检测修复方法，包括：对存储器芯片进行检测；若存在失效单元，则获取所检测到的第一失效单元的失效行地址线失效列地址线；设置失效行地址线失效列地址线，使其能够被识别为有效行地址线有效列地址线；对经过设置处理后的存储器芯片进行检测；确定是否还存在其他失效单元；若是则获取第一失效单元所位于的列地址线行地址线，利用一列地址冗余线行地址冗余线替换失效列地址线失效行地址线，转向对存储器芯片进行检测；否则利用一行地址冗余线列地址冗余线替换失效行地址线失效列地址线。本申请的方法使得对失效单元的检测修复效率更高，且准确率更高，耗时少，降低了工艺时间成本。

本发明授权存储器芯片的失效单元检测修复方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器芯片的失效单元检测修复方法，其特征在于，包括： 对存储器芯片进行检测，获得第一检测结果；所述存储器芯片上具有若干行地址冗余线和若干列地址冗余线； 若根据所述第一检测结果确定存在失效单元，则针对所检测到的第一失效单元，根据在所述存储器芯片上预先建立的直角坐标系获取失效行地址线或失效列地址线；所述失效行地址线或失效列地址线为所述第一失效单元所位于的行地址线或列地址线； 设置所述失效行地址线或失效列地址线，使被设置后的失效行地址线或失效列地址线能够被识别为有效行地址线或有效列地址线； 对经过设置处理后的存储器芯片进行检测，获得第二检测结果； 根据所述第二检测结果确定是否还存在其他失效单元； 若是，则获取所述失效列地址线或失效行地址线，利用一所述列地址冗余线或行地址冗余线替换所述失效列地址线或失效行地址线，转向所述对存储器芯片进行检测； 若否，则利用一所述行地址冗余线或列地址冗余线替换所述失效行地址线或失效列地址线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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