上海积塔半导体有限公司李乐获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210695129.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李乐;胡林辉;黄永彬;王峰设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体制备方法，包括以下步骤：提供第一衬底；在第一衬底上形成第二衬底材料层；将第二衬底材料层图形化，形成第二衬底；第二衬底具有鳍片结构；在第二衬底上形成覆盖鳍片结构的氧化物层。上述半导体制备方法，可以在覆盖鳍片结构的氧化物层因受高温退火发生严重收缩时，避免鳍片结构出现晶格位错，从而避免了半导体器件中的电子通过鳍片结构的晶格位错方向产生漏电的问题。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一衬底； 在所述第一衬底上形成第二衬底材料层； 将所述第二衬底材料层图形化，形成第二衬底；所述第二衬底具有鳍片结构； 在所述第二衬底上形成覆盖所述鳍片结构的氧化物层； 所述第一衬底的材料包括单晶硅；所述第二衬底的材料包括无定形硅。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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