上海积塔半导体有限公司王海涛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210644645.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件结构及其制备方法是由王海涛;张继伟设计研发完成，并于2022-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体器件结构及其制备方法。所述方法包括：提供基底；于所述基底内形成间隔排布的第一导电类型的初始漂移区，所述初始漂移区自所述基底的上表面向所述基底内延伸第一深度；于各所述第一导电类型的初始漂移区形成第一导电类型的漂移区，所述漂移区自所述基底的上表面向所述基底内延伸第二深度，所述第二深度等于所述第一深度；所述漂移区内掺杂的离子与所述初始漂移区内掺杂的离子不同；于所述基底的上表面形成栅极结构；于所述第一导电类型的漂移区内形成源区及漏区，所述源区及所述漏区分别位于所述栅极结构相对的两侧。采用本方法能够提升MOS器件的击穿电压。
本发明授权半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供基底； 向所述基底注入第一导电类型的第一离子，以于所述基底内形成间隔排布的第一导电类型的初始漂移区； 向所述第一导电类型的初始漂移区注入第一导电类型的第二离子，以将各所述第一导电类型的初始漂移区转变为第一导电类型的漂移区；所述第一导电类型的漂移区内同时具有第一导电类型的第一离子及第一导电类型的第二离子；所述第一离子包括磷离子；所述第二离子包括砷离子；所述第一导电类型的初始漂移区内所述第一离子注入的剂量小于所述第一导电类型的漂移区内所述第二离子注入的剂量；所述第一离子的注入能量小于所述第二离子的注入能量； 于所述基底的上表面形成栅极结构； 于所述第一导电类型的漂移区内形成源区及漏区，所述源区及所述漏区分别位于所述栅极结构相对的两侧。
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