长江先进存储产业创新中心有限责任公司杨红心获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210503057.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器是由杨红心;周凌珺;刘峻设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器。所述超晶格结构包括层叠设置的多个重复单元，每个所述重复单元包括：第一相变层和第二相变层；所述第一相变层具有第一掺杂浓度，所述第二相变层具有第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均大于或等于0；至少一个掺杂层，位于所述第一相变层和所述第二相变层之间；所述掺杂层的材料包括所述第一相变层的材料和或所述第二相变层的材料；其中，所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度，且所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。
本发明授权一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种超晶格结构，其特征在于，所述超晶格结构包括层叠设置的多个重复单元，每个所述重复单元包括： 第一相变层和第二相变层；所述第一相变层具有第一掺杂浓度，所述第二相变层具有第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均大于或等于0； 两个掺杂层，位于所述第一相变层和所述第二相变层之间，所述两个掺杂层中的第一掺杂层与所述第一相变层接触，所述两个掺杂层中的第二掺杂层与所述第二相变层接触； 所述第一掺杂层的材料包括所述第一相变层的材料，所述第二掺杂层的材料包括所述第二相变层的材料； 其中，所述两个掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度，且所述两个掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。
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