联华电子股份有限公司苏柏文获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利一种具有不对称功函数金属层的半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210591775.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种具有不对称功函数金属层的半导体元件是由苏柏文;黄文彦;赖冠颖;吕水烟设计研发完成，并于2018-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有不对称功函数金属层的半导体元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有不对称功函数金属层的半导体元件，该半导体元件主要包含一金属栅极设于一基底上，该金属栅极包含一第一功函数金属层，其中该第一功函数金属层又包含一第一垂直部分、一第二垂直部分，以及一第一水平部分连接该第一垂直部分以及该第二垂直部分。在本实施例中第一垂直部分以及第二垂直部分较佳包含不同高度。
本发明授权一种具有不对称功函数金属层的半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包括： 提供具有凹槽的基底； 形成第一功函数金属层于该基底该凹槽内； 对该第一功函数金属层进行第一蚀刻制作工艺，使得该第一功函数金属层位于该凹槽中的剩余部分包括： 第一垂直部分； 第二垂直部分，其中该第一垂直部分以及该第二垂直部分包含不同高度；以及第一水平部分，连接该第一垂直部分以及该第二垂直部分,其中，该第一蚀刻制作工艺为湿蚀刻制作工艺，并且在对该第一功函数金属层进行该第一蚀刻制作工艺的同时，对该基底进行第一旋转步骤。
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