瑞昱半导体股份有限公司颜孝璁获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞昱半导体股份有限公司申请的专利屏蔽结构及电感器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114974845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110219505.7，技术领域涉及：H01F27/34；该发明授权屏蔽结构及电感器装置是由颜孝璁;韩易学设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本屏蔽结构及电感器装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种屏蔽结构及电感器装置。屏蔽结构包含图案化屏蔽层以及环状结构。图案化屏蔽层沿平面延伸，并位于电感器结构与基板之间。环状结构朝第一方向耦接并堆叠于该图案化屏蔽层之上，第一方向垂直于平面。环状结构环绕于图案化屏蔽层。环状结构包含至少一开口以及接地端。
本发明授权屏蔽结构及电感器装置在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽结构，包含： 一图案化屏蔽层，沿一平面延伸，并位于一电感器结构与一基板之间；以及一环状结构，朝一第一方向耦接并堆叠于该图案化屏蔽层之上，其中该第一方向垂直于该平面，其中该环状结构环绕于该图案化屏蔽层，其中该环状结构包含至少一开口以及一接地端，其中该图案化屏蔽层包含一第一子图案化屏蔽层与一第二子图案化屏蔽层，其中该环状结构环绕该第一子图案化屏蔽层以及该第二子图案化屏蔽层，其中该第一子图案化屏蔽层包含一第一子边、一第二子边以及一第三子边，且该第二子图案化屏蔽层包含一第四子边、第五子边以及一第六子边，其中该环状结构还用以沿该第一子边、该第二子边、该第三子边、该第四子边、该第五子边以及该第六子边设置，其中该第一子图案化屏蔽层与该第二子图案化屏蔽层之间包含一第七子边，且该环状结构还沿着该第七子边设置，其中该环状结构于该第一子边、该第二子边、该第三子边以及该第七子边形成一第一子环状结构，并于该第四子边、该第五子边、该第六子边以及该第七子边形成一第二子环状结构。
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