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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于有机忆阻器的双向单极性调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114974328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210617553.6，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权一种基于有机忆阻器的双向单极性调控方法是由庄静文;凌海峰;明建宇;杨威;解令海;黄维设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于有机忆阻器的双向单极性调控方法在说明书摘要公布了：本发明是一种基于有机忆阻器的双向单极性调控方法，该调控方法以双向单极性电压调控有机忆阻器为对象，通过电压调控或者脉冲扫描诱导氧离子传输构建离子传导机制，实现双向单极性电压调控。本发明通过对无机阻变层与有机功能层氧离子输运的调控，得到一种双向单极性电压调控的忆阻器，该忆阻器基于氧离子的调制，可以通过简单的电压调控或者脉冲扫描方法精确调控功能层氧离子传输，从而构建离子传导机制，实现双向单极性调控。通过提取出忆阻器的电导态，实现单极性多值存储；并可应用忆阻器模拟神经元突触的功能。

本发明授权一种基于有机忆阻器的双向单极性调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于有机忆阻器的双向单极性调控方法，其特征在于：该调控方法以双向单极性电压调控有机忆阻器为对象，通过电压调控或者脉冲扫描诱导氧离子传输构建离子传导机制，实现双向单极性电压调控，其中，所述双向单极性电压调控的有机忆阻器包括四层结构，由下至上依次为底电极层、共轭聚合物有机功能层、无机阻变层和顶电极，所述共轭聚合物有机功能层为经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，所述无机阻变层为氧化物薄膜，所述顶电极为贵金属，所述底电极为氧化铟锡ITO； 对于所述有机忆阻器，记调制电压电流为Vt，当Vt≥8V时，该有机忆阻器表现为电流水平随着扫描次数的增加而逐圈增加，表现为正向写入存储特性；在脉冲刺激后，后一个脉冲刺激后的电流水平较前一个高，可以模拟生物突触中的兴奋特性； 当Vt≤7V时，该有机忆阻器表现为电流水平随着扫描次数的增加而逐圈减小，表现为正向擦除特性；在脉冲刺激后，后一个脉冲刺激后的电流水平较前一个低，可以模拟生物突触中的抑制特性； 当Vt≤‑8V时，该有机忆阻器表现为电流水平随着扫描次数的增加而逐圈增加，表现为负向写入特性；在脉冲刺激后，后一个脉冲刺激后的电流水平较前一个高，可以模拟生物突触中的兴奋特性； 当Vt≥‑7V时，该有机忆阻器表现为电流水平随着扫描次数的增加而逐圈减小，表现为负向擦除特性；在脉冲刺激后，后一个脉冲刺激后的电流水平较前一个高，可以模拟生物突触中的抑制特性。

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