上海积塔半导体有限公司曹功勋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种IGBT器件的制造方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210475740.5，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种IGBT器件的制造方法及结构是由曹功勋;吴晓丽;刘建华设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种IGBT器件的制造方法及结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种IGBT器件的制造方法及结构，方法包括：首先提供一基底，于基底表面形成绝缘层；然后刻蚀绝缘层和基底，形成多个接触孔槽；接着于接触孔槽侧面和底部以及绝缘层表面形成接触金属，各个接触孔槽中的接触金属相连；接着于接触金属表面形成正面金属层；最后刻蚀正面金属层，形成正面金属层图案，以金属层图案为掩膜，刻蚀去除部分接触金属。本发明的接触金属可以和正面金属层具有更大的接触面积，从而降低接触金属和正面金属层的接触电阻，进而降低IGBT的导通压降。本发明的IGBT结构表面具有更厚的金属，提高了金属热容，从而有利于器件工作时散热，降低IGBT工作结温，提升IGBT工作寿命。
本发明授权一种IGBT器件的制造方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括： 1提供一基底，于所述基底表面形成绝缘层； 2刻蚀所述绝缘层和所述基底，形成多个接触孔槽； 3于所述接触孔槽侧面和底部以及绝缘层表面形成接触金属，各个所述接触孔槽中的所述接触金属相连； 4于所述接触金属表面形成正面金属层且所述正面金属层的厚度介于3μm~6μm之间； 5刻蚀所述正面金属层，形成正面金属层图案，以所述正面金属层图案为掩膜，刻蚀去除部分所述接触金属且刻蚀去除部分所述接触金属为不带胶刻蚀，其中，所述形成正面金属层图案包括：在所述正面金属层表面涂布形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成光刻胶图案，以所述光刻胶图案为掩膜，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述正面金属层，形成所述正面金属层图案，去除所述光刻胶层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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