深圳市华星光电半导体显示技术有限公司罗传宝获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210393973.0，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板是由罗传宝设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括叠层设置的衬底、第一有源层、第一栅极、第二有源层以及第二栅极，第一有源层包括与第一栅极对应的第一沟道部，第二有源层包括与第二栅极对应的第二沟道部，第一有源层和第二有源层并联连接，第一沟道部和第二沟道部分离设置；本申请通过在衬底上设置并联连接的双层有源层，以及利用双层栅极结构对双层有源层进行导通，第一有源层和第二有源层的共同导通，增加了器件的导通通道，而分离设置的两层有源层可以对每一有源层的膜层厚度进行精确调控，在保证了器件的电子迁移率的情况下，同时还提高了器件均一性。
本发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 第一有源层，设置于所述衬底上，所述第一有源层包括第一沟道部； 第一栅极，设置于所述第一有源层上，所述第一栅极与所述第一沟道部对应设置； 第二有源层，设置于所述第一栅极上，所述第二有源层包括第二沟道部，所述第一有源层和所述第二有源层并联连接，所述第一沟道部和所述第二沟道部分离设置； 第二栅极，设置于所述第二有源层上，所述第二栅极与所述第二沟道部对应设置； 其中，所述第一沟道部中氧元素的质量比小于所述第二沟道部中氧元素的质量占比； 或者，所述第一沟道部包括靠近所述衬底一侧的第一子沟道和远离所述衬底一侧的第二子沟道，所述第一子沟道中窄禁带元素的质量占比大于所述第二子沟道中窄禁带元素的质量占比。
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