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龙图腾网获悉南京芯长征科技有限公司申请的专利基于超结结构的高压逆阻型功率半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210416083.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基于超结结构的高压逆阻型功率半导体器件及制备方法是由张广银;杨飞;吴凯;任雨设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于超结结构的高压逆阻型功率半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于超结结构的高压逆阻型功率半导体器件及制备方法。其包括半导体基板以及元胞区；半导体基板包括第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区以及第一导电类型外延层；在第一导电类型漂移区内设置超结结构，元胞区内的元胞与第一导电类型外延层对应，超级结构内的第二导电类型柱通过第一导电类型外延层与元胞区内的第二导电类型基区隔离，且所述超结结构内的第二导电类型柱通过第一导电类型衬底与设置于第一导电类型衬底背面的第二导电类型集电区隔离。本发明既可以降低高压超结高深宽比的深槽刻蚀和填充难度，又可以在实现高耐压的同时，降低通态压降和静态损耗，同时由于可以正向和反向的耐压PN结，可以实现双向的耐压。

本发明授权基于超结结构的高压逆阻型功率半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于超结结构的高压逆阻型功率半导体器件，包括具有第一导电类型的半导体基板、制备于所述半导体基板中心区的元胞区以及制备于所述半导体基板背面的背面电极结构；其特征是：所述半导体基板包括第一导电类型衬底、设置于第一导电类型衬底正面上的第一导电类型漂移区以及外延设置于第一导电类型漂移区上的第一导电类型外延层； 在所述第一导电类型漂移区内设置超结结构，超结结构内的第一导电类型柱以及第二导电类型柱相应的高度均小于第一导电类型漂移区的厚度，元胞区内的元胞位于第一导电类型外延层对应，超结结构内的第二导电类型柱通过第一导电类型外延层与元胞区内的第二导电类型基区隔离，且所述超结结构内的第二导电类型柱通过第一导电类型衬底与背面电极结构内的第二导电类型集电区相隔离，第二导电类型集电区与第一导电类型衬底邻接； 所述第一导电类型漂移区包括若干通过外延工艺依次生长得到的漂移基层，漂移基层在第一导电类型衬底上呈层叠分布； 外延生长得到一漂移基层后，对所生长得到的漂移基层进行刻蚀，以能得到漂移基层槽，在漂移基层槽内填充第二导电类型杂质，以在填充后形成第二导电类型的漂移基层柱； 每个漂移基层内的漂移基层柱正对应，且相邻漂移基层内的漂移基层柱相互接触，以利用所有的漂移基层形成所需的第一导电类型漂移区时，通过相互接触的漂移基层柱形成第二导电类型柱，以在所形成的第一导电类型漂移区内得到超结结构，超结结构内第一导电类型柱与第二导电类型柱在第一导电类型漂移区内交替分布； 在耐压时，所述漂移基层柱的第一导电类型柱和第二导电类型柱相互耗尽后的电荷量相同； 正向耐压时，空间电荷区从正面第二导电类型基区和第一导电类型外延层形成的PN结开始向外拓展，第一导电类型柱内的第一导电类型杂质和第二导电类型柱的第二导电类型杂质相互补偿，进而表现为电中性特性，使得纵向电场为梯形分布，从而提高击穿电压；在反向耐压时，由于通过第一导电类型衬底以及第一导电类型漂移区使得第二导电类型柱与第二导电类型集电区隔离，空间电荷区从第一导电类型衬底和第二导电类型集电区形成的PN结开始向外拓展，第一导电类型柱内的第一导电类型杂质可以与第二导电类型柱相互耗尽形成耐压层，从而使得形成的功率半导体器件具备双向耐压能力。

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