联华电子股份有限公司陈纬获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110102212.0，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体元件及其制作方法是由陈纬;王慧琳设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含一合成反铁磁层设于基底上、一阻障层设于合成反铁磁层上以及一自由层设于阻障层上，其中合成反铁磁层又包含第一固定层、第一间隔层设于第一固定层上、第二固定层设于第一间隔层上、第二间隔层设于第二固定层上以及参考层设于第二间隔层上。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成第一固定层于基底上； 形成第一间隔层于该第一固定层上； 形成第二固定层于该第一间隔层上； 形成第二间隔层于该第二固定层上； 形成第三固定层于该第二间隔层上； 形成第三间隔层于该第三固定层上； 形成参考层于该第三间隔层上； 形成阻障层于该参考层上；以及形成自由层于该阻障层上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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