深圳云潼科技有限公司田甜获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳云潼科技有限公司申请的专利一种提升SGT MOSFET耐压的方法、SGT MOSFET器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210566172.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种提升SGT MOSFET耐压的方法、SGT MOSFET器件及制造方法是由田甜;张伟;张小兵;廖光朝设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升SGT MOSFET耐压的方法、SGT MOSFET器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升SGTMOSFET耐压的方法、SGTMOSFET器件及制造方法，该提升SGTMOSFET耐压的方法在SGTMOSFET的P‑阱区底部形成的第一电场尖峰和在源多晶硅底部形成的第二电场尖峰之间引入第三电场尖峰。本技术方案引入了第三电场尖峰，该尖峰改善了第一电场尖峰和第二电场尖峰之间的凹陷电场，增加了电场强度随距离积分的面积，实现了器件耐压能力的提升。
本发明授权一种提升SGT MOSFET耐压的方法、SGT MOSFET器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SGT MOSFET器件，其特征在于，该器件包括用于形成第三电场尖峰的P‑结区，所述第三电场尖峰形成于在SGT MOSFET的P‑阱区底部形成的第一电场尖峰和在源多晶硅底部形成的第二电场尖峰之间用于对所述第一电场尖峰和所述第二电场尖峰之间的电场进行拉升；所述第三电场尖峰被引入至所述第一电场尖峰和所述第二电场尖峰之间电场强度最低处； 所述P‑结区不与所述P‑阱区相连，所述P‑结区经以下步骤制备： 步骤一：掺硼物质淀积； 步骤二：掺硼物质回刻至指定位置； 步骤三：采用800℃～1000℃高温快速退火，使掺硼物质中的硼扩散至沟槽外围的Si材料中，扩散后的硼浓度大于此处衬底的磷浓度，形成P‑结区。
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