华南师范大学尹以安获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744039B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210382860.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法是由尹以安;李佳霖设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法，其包括依次层叠于衬底上的成核层、缓冲层、p型埋层、沟道层、插入层和势垒层，势垒层上设置有双异质结栅极、源极和漏极，其中双异质结栅极由PNP双异质结帽层和位于双异质结帽层上的栅极金属层组成。该器件中双异质结栅极与势垒层接触能够耗尽沟道的二维电子气，使得器件阈值电压提高，且在器件想达到导通状态时，PNP型双异质结作为两个面对面的二极管，这两个二极管会消耗一定的压降，使得达到沟道层的电压减小，进而使得器件的阈值电压进一步提高，且PNP型双异质结能够防止电子从栅极进入沟道层，从而减小了栅极泄漏电流，提高器件的击穿电压。
本发明授权一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT，其特征在于，包括：蓝宝石衬底，依次层叠于衬底上的AlN成核层、GaN缓冲层、p型埋层、GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的Al组分为24%，其厚度为15~30nm，所述势垒层上设置有源极和漏极以及源极和漏极之间的双异质结栅极，双异质结栅极与源极和漏极之间设置有钝化层，其中双异质结栅极由PNP双异质结帽层和位于双异质结帽层上的栅极金属层组成，所述PNP双异质结帽层由P型氮化物、N型氮化物和P型氮化物依次层叠而成，所述P型氮化物的空穴浓度为1E17~1E18，其厚度为50~100nm；所述N型氮化物的厚度为50~100nm； 所述p型埋层为p型氮化物，其空穴浓度为1E17~1E18，厚度为50~200nm。
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